1200V碳化硅汽车MOSFET系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。 基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅MOSFET专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。 1200 V开关中最低的门电荷和器件电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗，温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性保证了无扰设计和易于控制的应用设计。 紧凑型S

概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。 基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数

GeneSiC 是专注于研发、制造、销售采用 SiC 半导体为基体的优质、高性能和高温度元件。SiC半导体技术对于大功率和/或恶劣环境应用具有非常显著的优势。 GeneSiC与象DOD和能源部这样的政府部门在政府项目上有着持续合作，积累了丰富的经验，从而能为商业和国防领域的客户提供SiC高压 / 高温元件。   下面介绍典型的1200V/200A超快恢复二极模块管MUR2X100A12

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